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China THGBM5G5A1JBA1R-Flash-Speicher-Chip, BGA-153 4gb NAND-Flash-Speicher-neuer ursprünglicher Speicher distributeur
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Flash-Speicher-Chip

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Flash-Speicher-Chip, greller neuer Speicher &original NANDs THGBM5G5A1JBA1R-Gedächtnis-BGA-153 4GB Beschreibung: 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE 16G THGBM4G7D2GBAIE 8G ... Read More
2018-09-26 16:51:00
China MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC RAM Hochgeschwindigkeitsflash-speicher-Chip 2G ÄHNLICHKEIT 166MHZ usine

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Flash-Speicher-Chip MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC ÄHNLICHKEIT BLITZ-RAMs 2G 166MHZ Teil MT29C2G48MAKLCJI-6 ES Kategorie Integrierte Schaltungen (ICs) Titel (ics)-BLITZ der Gedächtnis-integrierten Schaltung - NAND, ... Read More
2018-09-26 17:00:51
China Mt29f2g08abaeah4-It E IC 2gb Ähnlichkeits-NAND-Flash-Speicher 63vfbga 2,7 V | 3,6 V usine

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Flash-Speicher-Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND-BLITZ 512M PARALLELES 63VFBGA Produkt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) 3A991.b.1.a Zellart SLC NAND Chip-Dichte (gebissen) 2G Architektur ... Read More
2018-09-26 16:56:17
China Chip des Flash-Speicher-TC58NVG0S3HBAI4, Speicher-Chip 1G ICs grelle ÄHNLICHKEIT 63TFBGA usine

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Flash-Speicher-Chip TC58NVG0S3HBAI4 IC ÄHNLICHKEIT 63TFBGA BLITZ-1G Kategorien Integrierte Schaltungen (ICs) Gedächtnis Hersteller Toshiba Memory Amerika, Inc. Reihe - Verpacken Behälter Teil-Status Aktiv Ged... Read More
2018-09-26 16:31:56
China Chip 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 der geringen Energie des Flash-Speicher-IC usine

Chip 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 der geringen Energie des Flash-Speicher-IC
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Flash-Speicher-Chip W971GG6JB-18, Speicherchip BGA84 ICs SDRAM DDR2 64Mx16 Eigenschaften Art DDR2 SDRAM Organisation x16 Geschwindigkeit 1066 MT/s Spannung 1,8 V Paket WBGA-84 Das W971GG6JB ist ein 1G Stückchen ... Read More
2018-09-26 16:29:19
China K9F5608UOD-PCBO NAND-Blitz-Prüfer-Chip 32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND-Flash-Speicher usine

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Greller Memorry-Chip K9F5608UOD-PCBO 32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND-Flash-Speicher Eigenschaft: Read More
2018-09-26 16:37:21
China HY5PS1G831CFP-S6 DDR D-RAM beweglicher Flash-Speicher-Chip 128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 usine

HY5PS1G831CFP-S6 DDR D-RAM beweglicher Flash-Speicher-Chip 128MX8 0.4ns CMOS PBGA60
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Flash-Speicher-Chip HY5PS1G831CFP-S6 DDR D-RAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 Eigenschaften VDD = 1,8 +/- 0.1V•VDDQ = 1,8 +/- 0.1V Aller Input und Ertrag sind mit Schnittstelle SSTL_18 kompatibel 8 Banken Völlig ... Read More
2018-09-26 17:02:43
China MX30LF1208AA-XKI IC entfernbare Flash-Speicher-Modul-Ähnlichkeit 63vfbga NAND-512mb usine

MX30LF1208AA-XKI IC entfernbare Flash-Speicher-Modul-Ähnlichkeit 63vfbga NAND-512mb
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Flash-Speicher-Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND-BLITZ 512M PARALLELES 63VFBGA Grundlegende Beschreibung: MX30LF-Reihe 3,6 V 512 Mbit (64 Bit M x 8) NAND-Flash-Speicher - VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF1208AA-XKI ... Read More
2018-09-26 16:40:54
China MX30LF2G18AC-XKI IC Ähnlichkeits-NAND-Art Flash-Speicher-Bewachungsgewerbe 2g 63vfbga usine

MX30LF2G18AC-XKI IC Ähnlichkeits-NAND-Art Flash-Speicher-Bewachungsgewerbe 2g 63vfbga
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NAND-Blitz 2G des Flash-Speicher-Chip-MX30LF2G18AC-XKI IC ÄHNLICHKEIT 63VFBGA MX30LFx-Reihe 2 GBs (256 M x 8) 3,6 v-Oberflächen-Berg NAND-Flash-Speicher - VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF2G18AC-XKI Befestigungsart: ... Read More
2018-09-26 16:53:22
China Flash-Speicher-Chip der hohen Kapazitäts-TC58BYG1S3HBAI6, Blitz-Antrieb 67VFBGA NAND-2gb usine

Flash-Speicher-Chip der hohen Kapazitäts-TC58BYG1S3HBAI6, Blitz-Antrieb 67VFBGA NAND-2gb
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Flash-Speicher-Chip TC58BYG1S3HBAI6 IC ÄHNLICHKEIT 67VFBGA BLITZ-2G er TC58BYG1S3HBAI6 ist ein einzelnes löschbares 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 Bits) NAND elektrisch und der programmierbare Festwertspeicher ... Read More
2018-09-26 17:05:35
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