Zertifizierung: | Original Parts |
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Modellnummer: | MT29F2G08ABAEAH4-IT: E |
Min Bestellmenge: | 1260PCS/BOX |
Preis: | Negotiation |
Verpackung Informationen: | 10cm x 10cm x 5cm |
Lieferzeit: | 3-5 Arbeitstage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Paypal, Western Union, Übertragungsurkunde und andere |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10K pro Monat |
Einzelteil Numbe: | MT29F2G08ABAEAH4-IT: E | Denisty: | 2Gb (256M x 8) |
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Produkt-Kategorie: | Gedächtnis u. Flash-Speicher | Gedächtnisschnittstelle: | Ähnlichkeit |
Volt.: | 2,7 V | 3,6 V | Technology: | BLITZ - NAND (TLC) |
Temp.: | -40°C | 85°C (TA) | Verpackung: | 63-VFBGA |
Markieren: | Chip des Flash-Speichers IC,Flash-Speicher-Prüferchip |
Flash-Speicher-Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND-BLITZ 512M PARALLELES 63VFBGA
Eigenschaft:
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Beschreibung | Wert |
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Architektur | Sectored |
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Block-Organisation | Symmetrisch |
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Stiefel-Block | Ja |
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Zellart | SLC NAND |
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Befehl kompatibel | Nein |
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Dichte | 2 GBs |
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Ecc-Unterstützung | Ja |
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Löschen verschieben/Zusammenfassungs-Modus-Unterstützung | Nein |
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Schnittstellen-Art | Ähnlichkeit |
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Führungs-Ende | Zinn|Silber|Kupfer |
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Maximaler Verarbeitungstemp | 260 |
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Maximale Löschen-Zeit | 0.003/Block s |
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Maximaler Betriebsstrom | 35 MA |
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Maximale Betriebsstoff-Spannung | 3,6 V |
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Maximale Programmierzeit | Frau 0.6/Page |
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Minimale Betriebsstoff-Spannung | 2,7 V |
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Befestigung | Oberflächenberg |
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Zahl von Stückchen pro Wort | Bit 8 |
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Zahl von Wörtern | 256 MWords |
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Betriebstemperatur | °C -40 bis 85 |
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Seiten-Größe | 2 KBS |
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Pin-Zählung | 63 |
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Produkt-Maße | 11 x 9 x 0,75 (maximal) |
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Programm-Strom | 35 MA |
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Programmierungsspannung | 2,7 bis 3,6 V |
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Siebungs-Niveau | Automobil |
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Sektor-Größe | 128 x 2048 KBs |
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Simultane Lese-Schreibunterstützung | Nein |
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Lieferanten-Paket | VFBGA |
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Unterstützung des Seitenmodus | Nein |
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TIMING-Art | Asynchron |
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Typische Betriebsstoff-Spannung | 3,3000 V |