H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 D-RAM Gedächtnis (256MX16, CMOS, PBGA96) Die Teile sind ein Doppelt-Datenrate III (DDR3L) der geringen Energie 4Gb synchrones D-RAM, ideal entsprochen für die Zentralspeicheranwendungen, ... Read More
K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28, BGA-SPEICHERCHIP Samsung GDDR5 erzielt schnell Video und Grafik-intensive Leistung 3D, mit einer Datenrate fast dreimal schneller als GDDR3. Spezifikationen Dichte 8Gb Org. ... Read More
Speicher GDDR6 SAMSUNG 8G 256X32M FBGA-Gedächtnis-K4Z80325BC-HC16 GDDR6 stützt die breiteste Benutzungsmöglichkeit, von den Gaspedalen für Hochleistungs-EDV, zu den Arbeitsplätzen, zu den Konsolen und zu den ... Read More