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Chip des Flash-Speicher-TC58NVG0S3HBAI4, Speicher-Chip 1G ICs grelle ÄHNLICHKEIT 63TFBGA

TC58NVG0S3HBAI4 Flash Memory Chip , IC Flash Storage Chip 1G PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG0S3HBAI4 Flash Memory Chip , IC Flash Storage Chip 1G PARALLEL 63TFBGA TC58NVG0S3HBAI4 Flash Memory Chip , IC Flash Storage Chip 1G PARALLEL 63TFBGA
Grundlegende Informationen
Zertifizierung: Original Parts
Modellnummer: TC58NVG0S3HBAI4
Min Bestellmenge: 1-teilig
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: 10cm x 10cm x 5cm
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, Paypal, Western Union, Übertragungsurkunde und andere
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 500-2000pcs pro Monat
Bestpreis Kontakt
Detailinformationen
Einzelteil Numbe: TC58NVG0S3HBAI4 Denisty: 1Gb (128M x 8)
Produkt-Kategorie: Gedächtnis u. Flash-Speicher Gedächtnisschnittstelle: Ähnlichkeit
Volt.: 2,7 V | 3,6 V Technology: BLITZ - NAND (TLC)
Temp.: -40°C | 85°C (TA) Verpackung: BGA63
Markieren:

Chip des Flash-Speichers IC

,

Flash-Speicher-Prüferchip

Produkt-Beschreibung

Flash-Speicher-Chip TC58NVG0S3HBAI4 IC ÄHNLICHKEIT 63TFBGA BLITZ-1G

 

Kategorien Integrierte Schaltungen (ICs)  
Gedächtnis  
Hersteller Toshiba Memory Amerika, Inc.  
Reihe -  
Verpacken  Behälter   
Teil-Status Aktiv  
Gedächtnis-Art Permanent  
Gedächtnis-Format BLITZ  
Technologie BLITZ - NAND (SLC)  
Speicherkapazität 1Gb (128M x 8)  
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 25ns  
Zugriffzeit 25ns  
Gedächtnis-Schnittstelle Ähnlichkeit  
Spannung - Versorgung 2,7 V | 3,6 V  
Betriebstemperatur -40°C | 85°C (TA)  
Montage-Art Oberflächenberg  
Paket/Fall 63-VFBGA  
Lieferanten-Gerät-Paket 63-TFBGA (9x11)

 

 

Eigenschaft:

Chip des Flash-Speicher-TC58NVG0S3HBAI4, Speicher-Chip 1G ICs grelle ÄHNLICHKEIT 63TFBGA 0

Chip des Flash-Speicher-TC58NVG0S3HBAI4, Speicher-Chip 1G ICs grelle ÄHNLICHKEIT 63TFBGA 1

Größe und Tag:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Kontaktdaten
Karen.
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