Flash-Speicher-Chip der hohen Kapazitäts-TC58BYG1S3HBAI6, Blitz-Antrieb 67VFBGA NAND-2gb

er TC58BYG1S3HBAI6 ist ein einzelnes löschbares 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 Bits) NAND elektrisch und der programmierbare Festwertspeicher (NAND E2PROM) organisiert als (2048 + 64) Bytes × 64 Seiten × 2048blocks. Das Gerät hat ein 2112-Byte-statisches Register, das das zwischen das Register und erlaubt die Byteerhöhungen übertragen zu werden Programm und gelesene Daten, der Speicherzellen-Reihe im Jahre 2112. Die Löschenoperation wird in einer Einheit des einzelnen Blocks eingeführt (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 Bytes × 64 Seiten).

Das TC58BYG1S3HBAI6 ist ein Serien-artiges größtintegriertes Speicherbauelement, das die Input-/Outputstifte für Adresse und Dateninput/output sowie für Befehlsinput verwendet. Die Löschen- und Programmoperationen werden automatisch das Gerät am passendsten herstellend für Anwendungen wie Festkörperaktenspeicherung, Sprachaufnahme, Bilddateigedächtnis für Fotokameras und andere Systeme durchgeführt, die Permanentspeicherdatenspeicherung mit hoher Dichte erfordern.

Das TC58BYG1S3HBAI6 hat ECC-Logik auf dem Chip und können Lesefehler 8bit für jedes 528Bytes innerlich korrigiert werden

Technische Attribute