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W9725G6JB25I-ND Flash-Speicher-Chip, IC-D-RAM 256mb grelle ÄHNLICHKEIT 84WBGA NANDs

Grundlegende Informationen
Zertifizierung: Original Parts
Modellnummer: W9725G6JB25I-ND
Min Bestellmenge: 1 Paket
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: 10cm x 10cm x 5cm
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, Paypal, Western Union, Übertragungsurkunde und andere
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 6000pcs pro Monat
Detailinformationen
Einzelteil Numbe: W9725G6JB25I-ND Produkt-Kategorie: Gedächtnis u. Flash-Speicher
Speicherkapazität: 256Mb (16M x 16) Frequenz: 200MHz
Volt: 1,7 V | 1,9 V Technology: SDRAM - DDR2
Temp.: -40°C | 95°C (TC) Verpackung: BGA96
Markieren:

NAND-Art Flash-Speicher

,

Flash-Speicher-Prüferchip


Produkt-Beschreibung

Flash-Speicher-Chip W9725G6JB25I-ND, IC-D-RAM 256M PARALLELES 84WBGA

 

 

Grundlegende Eigenschaften
Art DDR2 SDRAM
Organisation x16
Geschwindigkeit 400 MHZ
Spannung 1,8 V
Paket WBGA-84

 

Beschreibung:

 

Das W9725G6JB ist 256M Bits DDR2 SDRAM, als 4.194.304 Wörter x organisiert 4 Banken x 16 Bits. Dieses Gerät erzielt Hochgeschwindigkeitsübertragungsraten bis zu 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) für verschiedene Anwendungen. W9725G6JB wird in die folgenden Geschwindigkeitsgrade sortiert: -18, -25, 25I, 25A, 25K und -3. Die -18 Gradteile ist zur Spezifikation DDR2-1066 (7-7-7) konform. Die -25/25I/25A/25K Gradteile sind zur Spezifikation DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) konform (die industriellen Teile des Grades 25I, die garantiert wird, um -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C) zu stützen. Die -3 Gradteile ist zur Spezifikation DDR2-667 (5-5-5) konform.

 

Die Automobilgradteiltemperatur, wenn Sie angeboten werden, zwei simultane Anforderungen hat: umgebende Temperatur (TA), welches das Gerät umgibt, kann nicht als kleiner als -40°C oder größeres sein, +95°C (für 25A), +105°C (für 25K) und die Gehäusetemperatur (TCASE) nicht kleiner als sein können -40°C oder größeres als +95°C (für 25A), +105°C (für 25K). JEDEC-Spezifikationen erfordern die Bildwiederholfrequenz sich zu verdoppeln, wenn TCASE +85°C übersteigt; dieses erfordert auch Gebrauch von dem Hochtemperaturselbst erneuern Wahl. Zusätzlich müssen ODT-Widerstand und der Input/Output Widerstand herabgesetzt werden, wenn TCASE +85°C. < 0=""> ist.

 

Alle Steuerung und Adresseneingaben werden mit einem Paar außen gelieferten Differenzzeituhren synchronisiert. Input wird am Koppelpunkt von Differenzzeituhren verriegelt (CLK, das steigen und NICHT fallendes CLK). Alle I/Os werden mit einem unsymmetrischen DQS oder einem Paar des Differenzials DQS- NICHT DQS auf eine Quellsynchrone Mode synchronisiert.

 

Eigenschaften:

  • Stromversorgung: VDD, VDDQ = 1,8 v-± 0.1V
  • Doppelte Datenratenarchitektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
  • CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
  • Explosions-Länge: 4 und 8
  • Bidirektionale, differenziale Datenröhrenblitze (DQS und NICHT DQS) werden übertragen,/empfangen mit Daten
  • Rand-ausgerichtet mit gelesenen Daten und mit Mitte-ausgerichtet schreiben Sie Daten
  • DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge mit Uhr aus
  • Differenzzeituhrinput (CLK und NICHT CLK)
  • Daten maskieren (DM) für schreiben Daten
  • Die Befehle, die auf jedem positiven CLK-Rand, Daten und Datenmaske eingegeben werden, werden zu beiden Rändern von DQS bezogen
  • Informierte NICHT programmierbare additive Latenz CASs gestützt, um Befehl und Datenbus-Leistungsfähigkeit zu machen
  • Lesen Sie Latenz = additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
  • Aus-Chip-Fahrerwiderstandanpassung (OCD) und Auf-Würfel-Beendigung (ODT) für bessere Signalqualität
  • Selbst-Vorbelastungsoperation für gelesen und schreiben Explosionen
  • Auto erneuern und Selbst erneuern Modi
  • Vorbelastete Energie unten und Active Power unten
  • Schreiben Sie Daten-Maske
  • Schreiben Sie Latenz = gelesene Latenz - 1 (Horizontalebene = RL - 1)
  • Schnittstelle: SSTL_18
  • Verpackt in Ball WBGA 84 (² 8X12.5 Millimeter), unter Verwendung der bleifreien Materialien mit RoHS konform

 

 

 

 

 

Kontaktdaten
Karen.