| Zertifizierung: | Original Parts |
|---|---|
| Modellnummer: | TC58NVG0S3HBAI4 |
| Min Bestellmenge: | 1-teilig |
| Preis: | negotiable |
| Verpackung Informationen: | 10cm x 10cm x 5cm |
| Lieferzeit: | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Paypal, Western Union, Übertragungsurkunde und andere |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 500-2000pcs pro Monat |
| Einzelteil Numbe: | TC58NVG0S3HBAI4 | Denisty: | 1Gb (128M x 8) |
|---|---|---|---|
| Produkt-Kategorie: | Gedächtnis u. Flash-Speicher | Gedächtnisschnittstelle: | Ähnlichkeit |
| Volt.: | 2,7 V | 3,6 V | Technology: | BLITZ - NAND (TLC) |
| Temp.: | -40°C | 85°C (TA) | Verpackung: | BGA63 |
| Hervorheben: | Chip des Flash-Speichers IC,Flash-Speicher-Prüferchip |
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Flash-Speicher-Chip TC58NVG0S3HBAI4 IC ÄHNLICHKEIT 63TFBGA BLITZ-1G
| Kategorien | Integrierte Schaltungen (ICs) | |
|---|---|---|
| Gedächtnis | ||
| Hersteller | Toshiba Memory Amerika, Inc. | |
| Reihe | - | |
| Verpacken | Behälter | |
| Teil-Status | Aktiv | |
| Gedächtnis-Art | Permanent | |
| Gedächtnis-Format | BLITZ | |
| Technologie | BLITZ - NAND (SLC) | |
| Speicherkapazität | 1Gb (128M x 8) | |
| Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 25ns | |
| Zugriffzeit | 25ns | |
| Gedächtnis-Schnittstelle | Ähnlichkeit | |
| Spannung - Versorgung | 2,7 V | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TA) | |
| Montage-Art | Oberflächenberg | |
| Paket/Fall | 63-VFBGA | |
| Lieferanten-Gerät-Paket | 63-TFBGA (9x11) |
Eigenschaft:
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