D-RAM HY5DU561622FTP-5 Speicherchip SDRAM-Gedächtnis 256 Mbit-Oberflächen-Berg 200MHz 2,4 - 2,7 V

Oberflächen-Berg D-RAM HY5DU561622FTP-5 Speicherchip SDRAM-Gedächtnis-256Mbit, 200MHz, 2,4 → 2,7 V

BESCHREIBUNG
Das Hynix HY5DU561622FTP-5, -4 Reihe sind ein 268.435.456 die Bit CMOS-Doppelt-Datenrate (DDR) synchrones D-RAM,
ideal entsprochen für die Punkt-zu-Punktanwendungen, das hohe Bandbreite erfordert.
Die Gleichlaufbetriebe Angebots Hynix 16Mx16 DDR SDRAMs völlig bezogen zu steigenden und fallenden Rändern von
Uhr. Während alle Adressen und Steuereingänge auf den steigenden Flanken der CK (fallende Ränder /CK), Daten verriegelt werden,
Datenröhrenblitze und schreiben Datenmasken, die Input auf den steigenden und fallenden Rändern von ihm probiert wird. Die Datenwege sind innerlich
durch Rohre geleitet und Bit 2 prefetched, um sehr hohe Bandbreite zu erzielen. Alle Input- und Ertragspannungspegel sind kompatibel
mit SSTL_2.
EIGENSCHAFTEN
• VDD, VDDQ = 2.5V +/- 0.2V für 200MHz
VDD, VDDQ = 2.6V + 0,1/-0.2V für 250MHz
• Aller Input und Ertrag sind mit SSTL_2 kompatibel
Schnittstelle
• JEDEC Standard-400mil 66pin TSOP-II mit 0.65mm
Stiftneigung
• Völlig Differenzzeituhr gibt (CK, /CK) Operation ein
• Doppelte Datenratenschnittstelle
• Quelle synchron - Datengeschäft ausgerichtet mit
bidirektionaler Datenröhrenblitz (DQS)
• Gerät x16 hat 2 bytewide Datenröhrenblitze (LDQS,
UDQS) pro jedes Input/Output x8
• Datenausgaben auf DQS-Rändern, wenn sie gelesen werden (umrandete DQ)
Dateneingaben auf DQS-Mitten, wenn schreiben Sie (zentriert
DQ)
• Daten (DQ) und schreiben die Masken (DM) verriegelt auf die beide
steigende und fallende Ränder des Datenröhrenblitzes
• Alle Adressen und Steuereingänge schließen Daten, Daten aus
Röhrenblitze und Datenmasken verriegelt auf den steigenden Flanken
von der Uhr
• Schreiben Sie Maskenbytekontrollen durch LDM und UDM
• Programmierbare /CAS-Latenz 3/4 gestützt
• Programmierbare Explosions-Länge 2/4/8 mit beiden
aufeinander folgender und Überlappenmodus
• Interne 4 haben Operationen mit einzelnem pulsiertem /RAS ein Bankkonto
• tRAS Ausrück-Funktion gestützt
• Auto erneuern und Selbst erneuern gestützt
• 8192 erneuern Zyklen/64ms
• Voll Hälfte und zusammengebrachte (schwache) Stärke des Widerstands
Fahrerwahl gesteuert durch EMRS