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D-RAM Speicherchip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M x 16 1.5V 96-Pin FBGA Mbps 1600

DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
Grundlegende Informationen
Zertifizierung: Original Parts
Modellnummer: K4B4G1646E-BYK0
Min Bestellmenge: 1 Paket
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: 10cm x 10cm x 5cm
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, Paypal, Western Union, Übertragungsurkunde und andere
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 60000pcs pro Monat
Bestpreis Kontakt
Detailinformationen
Artikelnummer: K4B4G1646E-BYK0 Geschwindigkeit: Mbps 1600
Produktstatus: Massenproduktion Dichte: 4GB
Org.: 512M x 8 Verpackung: BGA96
Markieren:

dynamischer Direktzugriffsspeicher

,

RAM-Gedächtnis IC

Produkt-Beschreibung

D-RAM Speicherchip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA

 

Es wurde im Jahre 2005, Samsungs Industrie-erstes DDR3 ist die benutzte Systemlösung, von den PC und von den Haushaltsgeräten, zu Automobil- und zu den medizinischen Geräten entwickelt.

 

 

Spezifikationen

Dichte 4Gb Org. 512M x 8
Geschwindigkeit Mbps 1600 Spannung 1,35 V
Temp. 0 | °C 85 Paket 96FBGA
Produkt-Status Massenproduktion  

Größe und Tag:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Kontaktdaten
Karen.
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