Gedächtnis IC-CHIP-SRAMs IS61WV25616BLL-10TLI IC-Chip - asynchrone Ähnlichkeit 10ns TSOP44 Gedächtnis ICs 4Mb
EIGENSCHAFTEN:
HOHE GESCHWINDIGKEIT: (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Hochgeschwindigkeitszugriffzeit: 8, 10, 20 ns
• Niedriges Active Power: 85 mW (typisch)
• Niedrige Reserveleistung: Bereitschaft 7 mW (typischer) CMOS
GERINGE ENERGIE: (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Hochgeschwindigkeitszugriffzeit: 25, 35, 45 ns
• Niedriges Active Power: 35 mW (typisch)
• Niedrige Reserveleistung: 0,6 Bereitschaft mW (typischer) CMOS
• Einzelne Stromversorgung
— VDD 1.65V zu 2.2V (IS61WV25616Axx)
— VDD 2.4V zu 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Völlig statische Operation: keine Uhr oder erneuern erforderliches
• Drei Zustandsertrag
• Speicherverwaltung für die oberen und untereren Bytes
• Industrielle und Automobiltemperaturunterstützung
• Bleifreies verfügbares
FUNKTIONSSANTENDIAGRAMM:
BESCHREIBUNG
Das ISSI IS61WV25616Axx/Bxx und IS64WV25616Bxx
, sind 4.194.304 Bit statische RAMs Hochgeschwindigkeits, die als 262.144 Wörter durch 16 Bits organisiert werden. Es ist leistungsstarke der CMOS-Technologie der fabrizierten usingISSIs. Dieses in hohem Grade zuverlässige pro- cess verbunden mit innovativen Schaltplantechniken,
Erträge de- Vizes der leistungsstarker und der geringen Energie Leistungsaufnahme.
Wenn CER (abgewählt) HOCH ist, nimmt das Gerät eine Bereitschaftsbetriebsart an, an der die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln unten verringert werden kann.
Einfache Speichererweiterung wird von der Anwendung von Signalfreigabe eines Bausteins zur Verfügung gestellt und Ertrag ermöglichen Input, CER und OE. Das aktive TIEF schreiben ermöglichen (WE)-Kontrollen Schreiben und Lesung des Gedächtnisses. Ein Datenbyte erlaubt oberes Byte (UB) und niedrigeren Byte (LB)-Zugang.
Die IS61WV25616Axx/Bxx und die IS64WV25616Bxx werden in der Art II Stift TSOP JEDEC-Standards 44 verpackt und 48 stecken Mini-BGA fest (6mm x 8mm).
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DCs (über Betriebsbereich)
VDD = 3.3V + 5%
| Symbol |
Parameter |
Testbedingungen |
Min. |
Maximum. |
Einheit |
| VOH- |
Ertrag-Hochspannung |
VDD = Min., IOH- = – 4,0 MA |
2,4 |
— |
V |
| VOL |
Ertrag-Niederspannung |
VDD = Min., IOL = 8,0 MA |
— |
0,4 |
V |
| VIH |
Input-Hochspannung |
|
2 |
VDD + 0,3 |
V |
| VIL |
Input-Niederspannung (1) |
|
– 0,3 |
0,8 |
V |
| ILI |
Input-Durchsickern |
BODEN-£ VIN £ VDD |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Ertrag-Durchsickern |
Boden-£ VHERAUS £ VDD, Ertrag gesperrt |
– 1 |
1 |
µA |
Anmerkung:
1. VIL (min.) = – DC 0.3V; VIL (min.) = – Wechselstrom 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">
VIH (Maximum) = V DCDD + 0.3V; VIH (Maximum) = V WechselstromDD + 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DCs (über Betriebsbereich)
VDD = 2.4V-3.6V
| Symbol |
Parameter |
Testbedingungen |
Min. |
Maximum. |
Einheit |
| VOH- |
Ertrag-Hochspannung |
VDD = Min., IOH- = – 1,0 MA |
1,8 |
— |
V |
| VOL |
Ertrag-Niederspannung |
VDD = Min., IOL = 1,0 MA |
— |
0,4 |
V |
| VIH |
Input-Hochspannung |
|
2,0 |
VDD + 0,3 |
V |
| VIL |
Input-Niederspannung (1) |
|
– 0,3 |
0,8 |
V |
| ILI |
Input-Durchsickern |
BODEN-£ VIN £ VDD |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Ertrag-Durchsickern |
Boden-£ VHERAUS £ VDD, Ertrag gesperrt |
– 1 |
1 |
µA |
Anmerkung:
1. VIL (min.) = – DC 0.3V; VIL (min.) = – Wechselstrom 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">
VIH (Maximum) = V DCDD + 0.3V; VIH (Maximum) = V WechselstromDD + 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DCs (über Betriebsbereich)
VDD = 1.65V-2.2V
| Symbol |
Parameter |
Testbedingungen |
VDD |
Min. |
Maximum. |
Einheit |
| VOH- |
Ertrag-Hochspannung |
IOH- = -0,1 MA |
1.65-2.2V |
1,4 |
— |
V |
| VOL |
Ertrag-Niederspannung |
IOL = 0,1 MA |
1.65-2.2V |
— |
0,2 |
V |
| VIH |
Input-Hochspannung |
|
1.65-2.2V |
1,4 |
VDD + 0,2 |
V |
| VIL (1) |
Input-Niederspannung |
|
1.65-2.2V |
– 0,2 |
0,4 |
V |
| ILI |
Input-Durchsickern |
BODEN-£ VIN £ VDD |
– 1 |
1 |
µA |
| ILO |
Ertrag-Durchsickern |
Boden-£ VHERAUS £ VDD, Ertrag gesperrt |
– 1 |
1 |
µA |
Anmerkung:
1. VIL (min.) = – DC 0.3V; VIL (min.) = – Wechselstrom 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">
VIH (Maximum) = V DCDD + 0.3V; VIH (Maximum) = V WechselstromDD + 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">
WECHSELSTROM-TESTBEDINGUNGEN
| Parameter |
Einheit |
Einheit |
Einheit |
| |
(2.4V-3.6V) |
(3.3V +10%) |
(1.65V-2.2V) |
| InputPulseLevel |
0Vto3V |
0Vto3V |
0Vto1.8V |
| Input-Aufstieg und Abfallzeiten |
1V/ ns |
1V/ ns |
1V/ ns |
| InputandOutputTiming-andReferenceLevel (v-Hinweis) |
1.5V |
1.5V |
0.9V |
| OutputLoad |
Siehe Tabellen 1 und 2 |
Siehe Tabellen 1 und 2 |
Siehe Tabellen 1 und 2 |
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